Yılın En Büyük İndiriminde son günleri kaçırma! Yeni yıla Kunduz paketinle güçlü girmek için şimdi tıkla, sana uygun olan paketi indirimli al.

Hayalindeki netler. İhtiyacın olan her şey. Tek platform.

Soru çözüm, yayın seti, birebir rehberlik, canlı dersler ve daha fazlası Kunduz’da. Şimdi al, netlerini artırmaya başla.

Görüşme BaşlatPaketleri İncele
Soru:

14. Silisyum ve germanyum elementleri son yörüngelerinde dört elektron olmasından dolayı başka elementlerle katkı yapılarak ilet

14. Silisyum ve germanyum elementleri son yörüngelerinde dört elektron olmasından dolayı başka elementlerle katkı yapılarak iletken hâle gelebilir. Böylece N veya P tipi yarı iletken elde edilir. Transistörlerin yapısında 2 tane N, 1 tane P tipi yarı iletk

14. Silisyum ve germanyum elementleri son yörüngelerinde dört elektron olmasından dolayı başka elementlerle katkı yapılarak iletken hâle gelebilir. Böylece N veya P tipi yarı iletken elde edilir. Transistörlerin yapısında 2 tane N, 1 tane P tipi yarı iletken olabilir. Buna göre; I. devre girişine uygulanan gerilim değerini yükseltmek, II. akım geçişine izin verip vermeme durumuna göre anahtarlama yapmak, los III. devrede yük depolamak görevlerinden hangileri transistöre ait olabilir? A) Yalnız I B Yalnız II CN ve Il D) I ve III E) I, Ive III O