Hayalindeki netler. İhtiyacın olan her şey. Tek platform.

Soru çözüm, yayın seti, birebir rehberlik, canlı dersler ve daha fazlası Kunduz’da. Şimdi al, netlerini artırmaya başla.

Soru:

14. Silisyum ve germanyum elementleri son yörüngelerinde dört elektron olmasından dolayı başka elementlerle katkı yapılarak ilet

14. Silisyum ve germanyum elementleri son yörüngelerinde
dört elektron olmasından dolayı başka elementlerle katkı
yapılarak iletken hâle gelebilir. Böylece N veya P tipi yarı
iletken elde edilir. Transistörlerin yapısında 2 tane N, 1 tane
P tipi yarı iletk

14. Silisyum ve germanyum elementleri son yörüngelerinde dört elektron olmasından dolayı başka elementlerle katkı yapılarak iletken hâle gelebilir. Böylece N veya P tipi yarı iletken elde edilir. Transistörlerin yapısında 2 tane N, 1 tane P tipi yarı iletken olabilir. Buna göre; I. devre girişine uygulanan gerilim değerini yükseltmek, II. akım geçişine izin verip vermeme durumuna göre anahtarlama yapmak, los III. devrede yük depolamak görevlerinden hangileri transistöre ait olabilir? A) Yalnız I B Yalnız II CN ve Il D) I ve III E) I, Ive III O