14. Silisyum ve germanyum elementleri son yörüngelerinde dört elektron olmasından dolayı başka elementlerle katkı yapılarak ilet
![14. Silisyum ve germanyum elementleri son yörüngelerinde
dört elektron olmasından dolayı başka elementlerle katkı
yapılarak iletken hâle gelebilir. Böylece N veya P tipi yarı
iletken elde edilir. Transistörlerin yapısında 2 tane N, 1 tane
P tipi yarı iletk](https://media.kunduz.com/media/question/seo/raw/20220601101628475722-3686737.jpeg?h=512)
14. Silisyum ve germanyum elementleri son yörüngelerinde dört elektron olmasından dolayı başka elementlerle katkı yapılarak iletken hâle gelebilir. Böylece N veya P tipi yarı iletken elde edilir. Transistörlerin yapısında 2 tane N, 1 tane P tipi yarı iletken olabilir. Buna göre; I. devre girişine uygulanan gerilim değerini yükseltmek, II. akım geçişine izin verip vermeme durumuna göre anahtarlama yapmak, los III. devrede yük depolamak görevlerinden hangileri transistöre ait olabilir? A) Yalnız I B Yalnız II CN ve Il D) I ve III E) I, Ive III O